Ciekawa wiadomość z „Nikkei Asia. Chiński producent półprzewodników ChangXin Memory Technologies (CXMT) ogłosił przełom w opracowywaniu nowej architektury pamięci DRAM, określanej jako 4F². Pozwala ona na gęstsze rozmieszczenie komórek pamięci na układzie scalonym niż dominująca obecnie technologia 6F², co potencjalnie daje możliwość zwiększenie pojemności pamięci bez powiększania powierzchni układu.
Informacja wywołała gwałtowne spadki notowań trzech największych światowych producentów pamięci: Samsunga, SK Hynix i Microna. CXMT jest obecnie czwartym producentem DRAM na świecie, z udziałem w rynku wynoszącym 10%, wobec odpowiednio 38%, 25% i 24% trzech liderów.
Chiński sukces jest szczególnie interesujący w kontekście amerykańskich sankcji technologicznych. Ograniczony dostęp do najnowocześniejszych urządzeń produkcyjnych zmusza CXMT do poszukiwania alternatywnych sposobów zwiększania wydajności i miniaturyzacji. Podobno firma próbuje przyspieszyć wdrożenie trudniejszych rozwiązań technologicznych. W tym samym czasie jego konkurenci nadal mogą wykorzystywać prostsze metody usprawniania produkcji.
Podstawą nowej architektury CXMT jest opracowany samodzielnie tranzystor VSG (vertical surrounded gate), którego pionowa konstrukcja pozwala lepiej kontrolować przepływ prądu i ograniczać jego upływ. Spółka zapowiada wprowadzenie do końca 2026 r. modułów DDR5 RDIMM wykorzystujących tę technologię, przeznaczonych przede wszystkim do centrów danych i serwerów sztucznej inteligencji.
Eksperci cytowani przez „Nikkei Asia” przestrzegają jednak przed przedwczesnym ogłaszaniem chińskiego zwycięstwa. Największym wyzwaniem pozostaje opanowanie problemów związanych z wydzielaniem i odprowadzaniem ciepła w coraz gęściej upakowanych komórkach pamięci. Nie wiadomo również, czy CXMT zdoła wdrożyć nową architekturę do masowej produkcji z odpowiednio wysoką wydajnością i rentownością.
Samsung i SK Hynix także pracują nad architekturą 4F², a wraz z Micronem współpracują z amerykańskim Applied Materials przy rozwoju kolejnych generacji półprzewodników. Nowe centrum badawcze EPIC w Kalifornii, którego wartość wynosi 5 mld USD, ma pomóc skrócić proces opracowywania technologii, zajmujący obecnie 10–15 lat.
Sam CXMT szybko zwiększa możliwości produkcyjne. We wrześniu przedsiębiorstwo poinformowało o uruchomieniu masowej produkcji piątej generacji pamięci DRAM oraz zaprezentowało nowe układy LPDDR5X dla urządzeń mobilnych. Według „Nikkei Asia” HP, Asus i Acer zaczęły już wykorzystywać chińskie pamięci, aby ograniczyć skutki niedoborów na rynku.
Globalny popyt na DRAM gwałtownie rośnie za sprawą rozwoju sztucznej inteligencji, prowadząc do niedoborów i wysokich cen pamięci. Sytuacja sprzyja zarówno dotychczasowym liderom, jak i wchodzącym na rynek chińskim producentom. O rzeczywistym znaczeniu tego „przełomu” zdecydują jednak koszty, uzysk produkcyjny, niezawodność oraz zdolność do zwiększania skali wytwarzania.
